6月24日，中科院半導體(ti) 所發布訃告：中國工程院院士、中國科學院半導體(ti) 研究所研究員、我國著名半導體(ti) 材料學家梁駿吾先生因病醫治無效，不幸於(yu) 2022年6月23日17時在北京逝世，享年89歲。

　　梁駿吾院士1933年9月18日生於(yu) 湖北武漢，1997年當選中國工程院院士。他先後榮獲國家科委科技成果二等獎和新產(chan) 品二等獎各1次，國家科技進步三等獎1次、中科院重大成果和科技進步一等獎3次、二等獎4次，上海市科技進步二等獎1次等各種科技獎共20餘(yu) 次。

　　梁駿吾院士從(cong) 事半導體(ti) 材料科學研究工作六十多年，是我國早期半導體(ti) 矽材料的奠基人。上世紀60年代解決(jue) 了高純區熔矽的關(guan) 鍵技術；1964年製備出室溫激光器用 GaAs 液相外延材料；1979年研製成功為(wei) 大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(you) 質矽區熔單晶；80年代首創了摻氮中子嬗變矽單晶，解決(jue) 了矽片的完整性和均勻性的問題；90年代初研究 MOCVD 生長超晶格量子阱材料，在晶體(ti) 完整性、電學性能和超晶格結構控製方麵，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平；他還在太陽電池用多晶矽的研究和產(chan) 業(ye) 化等方麵發揮著積極作用。