2月25日，中國電子科技集團公司第二研究所傳(chuan) 來喜訊，該所成功研製出我省首片碳化矽芯片。

　　據介紹，碳化矽材料已成為(wei) 全球半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 戰略競爭(zheng) 的新高地，對實現“雙碳”具有重要的戰略意義(yi) 。因碳化矽具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(you) 點，更適合開發具有耐高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等優(you) 勢的功率半導體(ti) 器件，可有效突破傳(chuan) 統矽基材料的物理極限，已成為(wei) 我國重點發展的戰略性先進半導體(ti) 。

　　2021年9月，中電科二所建設了碳化矽芯片mini線，並負責整線運行和維護。針對整個(ge) 項目時間緊、任務重的情況，研究所憑借自身的行業(ye) 影響力和資源調配能力，在水、電、氣等配套條件完成後的30日內(nei) ，完成單機設備調試、碳化矽整線工藝調試，並成功產(chan) 出碳化矽芯片，創造了山西速度。

　　中電科二所有關(guan) 負責人表示，該項目的成功是落實我省“十四五”規劃將半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 打造成新支柱產(chan) 業(ye) 取得的階段性重大成果，也代表著我省向半導體(ti) 領域轉型發展道路上的一個(ge) 重要進展。下一步，研究所將全力以赴推進實驗室二期碳化矽芯片中試線和碳化矽器件智能封裝線的建設。（記者沈佳）