日前，北京大學電子學院王興(xing) 軍(jun) 教授、彭超教授、舒浩文研究員聯合團隊在超高速純矽調製器研究方麵取得重大突破，成功實現了全球首個(ge) 電光帶寬達110GHz的純矽調製器。這是自2004年英特爾在《自然》期刊報道第一個(ge) 1GHz矽調製器後，國際上第一次把純矽調製器的帶寬提高100GHz以上。相關(guan) 研究成果以《110GHz帶寬慢光矽調製器》為(wei) 題，在線發表於(yu) 《科學·進展》。

　　該純矽調製器同時具有超高帶寬、超小尺寸、超大通帶及互補金屬氧化物半導體(ti) （CMOS）集成工藝兼容等優(you) 勢，滿足了未來超高速應用場景對超高速率、高集成度、多波長通信、高熱穩定性及晶圓級生產(chan) 等需求，是矽基光電子領域的重大突破。

　　隨著互聯網技術的飛速發展，數據中心的規模和複雜度也在不斷增加，對數據傳(chuan) 輸速率、集成度以及穩定性的要求也越來越高。此次突破性的研究成果，正是對這一需求的有力回應。它將為(wei) 高速、短距離數據中心和光通信的應用提供重要關(guan) 鍵技術支撐，也將為(wei) 全球的數據中心發展提供新的技術可能，對下一代數據中心的發展具有重大意義(yi) 。

　　（總台央視記者 韓冰）