原標題：天津大學納米中心半導體(ti) 石墨烯研究取得新突破

　　本報天津1月7日電 （記者武少民）記者近日從(cong) 天津大學獲悉：天津大學天津納米顆粒與(yu) 納米係統國際研究中心的馬雷教授研究團隊研究成果《碳化矽上生長的超高遷移率半導體(ti) 外延石墨烯》，成功攻克長期以來阻礙石墨烯電子學發展的關(guan) 鍵技術難題，打開了石墨烯帶隙。這一突破被認為(wei) 是開啟石墨烯芯片製造領域大門的重要裏程碑。該項成果已在《自然》雜誌網站上在線發布。

　　據馬雷介紹，石墨烯是首個(ge) 被發現可在室溫下穩定存在的二維材料，其具有獨特的狄拉克錐能帶結構，導致了“零帶隙”特性，而“零帶隙”特性正是困擾石墨烯研究者數十年的難題，如何打開帶隙更是開啟“石墨烯電子學”大門的“關(guan) 鍵鑰匙”。研究團隊通過對外延石墨烯生長過程的精確調控，成功地在石墨烯中引入了帶隙，創造了一種新型穩定的半導體(ti) 石墨烯。

　　據悉，在該項突破性研究中，具有帶隙的半導體(ti) 石墨烯為(wei) 高性能電子器件帶來了全新的材料選擇。這種半導體(ti) 的發展不僅(jin) 為(wei) 超越傳(chuan) 統矽基技術的高性能電子器件開辟了新道路，還為(wei) 整個(ge) 半導體(ti) 行業(ye) 注入了新動力。