【光明追思】

　　半導體(ti) 材料專(zhuan) 家、中國工程院院士、中國科學院半導體(ti) 所研究員梁駿吾，因病醫治無效，於(yu) 2022年6月23日在北京逝世，享年89歲。

　　梁駿吾，1933年9月18日出生，湖北武漢人。1955年畢業(ye) 於(yu) 武漢大學，1956年至1960年在蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學位，1960年獲技術科學副博士學位。 1997年當選為(wei) 中國工程院院士。曾任中國電子學會(hui) 半電子材料學分會(hui) 主任、名譽主任。

　　梁駿吾是我國從(cong) 事矽材料研究的元老級專(zhuan) 家，在20世紀60年代解決(jue) 了高純區熔矽的關(guan) 鍵技術。1964年製備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研製成功為(wei) 大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(you) 質矽區熔單晶。80年代首創了摻氮中子嬗變矽單晶，解決(jue) 了矽片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體(ti) 完整性、電學性能和超晶格結構控製方麵，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。

　　梁駿吾一生與(yu) 半導體(ti) 材料科研事業(ye) 相伴，他曾在采訪中說，希望通過自己的科研經曆，帶給年輕科研人員一些啟發，讓他們(men) 看到這份事業(ye) 可以有所作為(wei) ，讓他們(men) 覺得自己同樣能夠作出成績。（光明日報全媒體(ti) 記者李苑）