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　　光明日報北京2月28日電（記者崔興(xing) 毅）日前，中國電科46所成功製備出我國首顆6英寸氧化镓單晶，達到國際最高水平。

　　氧化镓是新型超寬禁帶半導體(ti) 材料，擁有優(you) 異的物理化學特性，在微電子與(yu) 光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化镓單晶製備極為(wei) 困難。

　　據了解，中國電科46所氧化镓團隊聚焦多晶麵、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從(cong) 大尺寸氧化镓熱場設計出發，成功構建了適用於(yu) 6英寸氧化镓單晶生長的熱場結構，突破了6英寸氧化镓單晶生長技術，具有良好的結晶性能，可用於(yu) 6英寸氧化镓單晶襯底片的研製，將有力支撐我國氧化镓材料實用化進程和相關(guan) 產(chan) 業(ye) 發展。

　　近年來，中國電科圍繞國家戰略需求，在氧化镓、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導體(ti) 材料領域砥礪深耕並取得重大突破和標誌性成果，有力支撐了我國超寬禁帶半導體(ti) 材料的發展。