科技日報訊記者5月7日從(cong) 中國科學技術大學獲悉，該校郭光燦院士團隊郭國平教授、李海歐教授等人與(yu) 國內(nei) 同行以及本源量子計算有限公司合作，在矽基鍺量子點中實現了自旋量子比特操控速率的電場調控，以及自旋翻轉速率超過1.2GHz的自旋量子比特超快操控，該速率是國際上半導體(ti) 量子點體(ti) 係中已報道的最高值，對提升自旋量子比特的品質具有重要的指導意義(yi) 。研究成果日前在線發表在國際期刊《納米通信》上。

　　矽基半導體(ti) 自旋量子比特以其長量子退相幹時間和高操控保真度，以及其與(yu) 現代半導體(ti) 工藝技術兼容的高可擴展性，成為(wei) 實現量子計算機研製的重要候選者之一。高操控保真度要求比特在擁有較長的量子退相幹時間的同時具備更快的操控速率。傳(chuan) 統方案利用電子自旋共振方式實現自旋比特翻轉，這種方式的比特操控速率較慢。

　　研究人員發現，利用電偶極自旋共振機製實現自旋比特翻轉，具備較快的操控速率。同時，比特的操控速率與(yu) 體(ti) 係內(nei) 的自旋軌道耦合強度為(wei) 正相關(guan) 關(guan) 係，因此對體(ti) 係內(nei) 自旋軌道耦合強度的有效調控，是實現自旋量子比特高保真度操控重要的物理基礎。其中體(ti) 係中的電場是調節自旋軌道耦合強度的一項重要手段，以此可以實現電場對自旋量子比特性質的高效調控。

　　在前期工作的基礎上，為(wei) 了進一步提升自旋量子比特的性能，研究人員經過實驗探究發現體(ti) 係內(nei) 的電場參數對自旋量子比特的操控速率具有明顯的調製作用。通過物理建模和數據分析，研究人員利用電場強度對體(ti) 係內(nei) 自旋軌道耦合效應的調製作用，以及量子點中軌道激發態對比特操控速率的貢獻，自洽地解釋了電場對自旋量子比特操控速率調製的實驗結果。並在實驗上進一步測得了超過1.2GHz的自旋比特超快操控速率，這也刷新了課題組之前創造的半導體(ti) 自旋比特操控速率達到540MHz的最快紀錄。（記者吳長鋒）